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膜付きウェーハ

Blanket Film wafers(膜付きウェーハ)

高品質で付加価値の高い製品を、ご提供いたします。

膜種分類 膜種 成膜方法
Oxide Th-SiO2 Thermal
Low-Particle Th-SiO2* Thermal
PE-SiO2 PE-CVD
PE-TEOS PE-CVD
LP-CVD TEOS PE-CVD
HDP PE-CVD
USG PE-CVD
PSG CVD
BPSG CVD
RTO Anneal
Silicon Doped/non Doped Poly LP-CVD
Amorphous PE-CVD
Nitride LP-CVD SIN LP-CVD
PE-CVD SIN PE-CVD
Photo
Resists
I-Line Coating
KrF Coating
ArF Coating
Low-K BD CVD
BDⅡX CVD
AURORA CVD
CORAL CVD
Metal Ta,TaN Spatter
Ti,TiN Spatter
W Spatter
CVD
Cr Spatter
Cu Spatter, EP
Al,Al-Cu,Al-Si Spatter
Pt Spatter
Ni Spatter
Ru Spatter
Pd Spatter
Au Spatter
Co Spatter
Etc Spatter

*上記以外の膜種も対応可能です。ご希望の膜厚を指定ください。

Low Particle Thermal Oxide Wafer
(低欠陥熱酸化膜ウェーハ)

Low Particle Thermal Oxide Wafer(低欠陥熱酸化膜ウェーハ)

パーティクル・金属汚染をコントロールした最先端の酸化炉にて成膜した低欠陥熱酸化膜ウェーハをご提案いたします。

Atomic Layer Deposition
(ALD膜)

Atomic Layer Deposition(ALD膜)

次世代ゲート材料

  • ALD High-Kゲート絶縁膜
    ロジック…HfSiO, ZrSiO, etc
    メモリー…HfO, ZrO, AlO, HfSiO, TiO, etc
  • ALD 金属電極
    ロジック…Ti, TiN, Ta, TaN, TiSiN, TaSiN,TaSiN, HfN, HfSiN,etc
    メモリー…Ti, TiN, Ta, TaN, TiSiN, TaSiN,etc

*上記以外の膜種も対応可能です。

Ion Implantation Wafer
(イオン注入ウェーハ)

Ion Implantation Wafer(イオン注入ウェーハ)

  • イオン種:B+,BF2+,P+,As+,In+,等
  • ドーズ量:1011~1015 ions/cm2
  • 加速エネルギー:5Kev~4.6Mev
  • RTA処理

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